9月4日开云体育，第十三届半导体开垦与中枢部件及材料展（CSEAC 2025）在无锡举行。

开幕式上，国内半导体开垦龙头中微公司重磅推出六款半导体开垦新址品。这些开垦掩盖等离子体刻蚀（Etch）、原子层千里积（ALD）及外延（EPI）等半导体制造中的要害工艺。

这不仅彰显了中微公司的硬核实力，也为国产高端半导体开垦注入能源。

中微公司董事长兼总司理尹志尧博士发表主旨解释，并慎重秘书了六款新开垦。

刻蚀开垦：Primo UD-RIE®、Primo Menova™

刻蚀是半导体制造历程中的工艺之一，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种特地进攻的花样，是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。

在刻蚀工夫方面，中微公司这次发布了两款新品，鉴识在极高尚宽比刻蚀及金属刻蚀领域为客户提供了起始和高效的处分决议。

起始，这次中微公司带来了，新一代极高尚宽比等离子体刻蚀“利器”—— CCP 电容性高能等离子体刻蚀机Primo UD-RIE®基于熟习的 Primo HD-RIE® 筹划架构并全面升级，配备六个单响应台响应腔，通过更低频率、更大功率的射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，不错餍足极高尚宽比刻蚀的严苛条款，兼顾刻蚀精度与坐蓐成果。

中微公司Primo UD-RIE®

Primo UD-RIE®引入了多项转换工夫，比如，自主研发的动态边际阻抗转换系统通过转换晶圆边际等离子体壳层转换边际深孔刻蚀的垂直性，大大提高了晶圆边际的及格率。其上电极多区温控系统，优化了高射频功率下的散热治理，有用普及了开垦的巩固性和可靠性等，这都为坐蓐先进存储芯片提供了有劲保险。

同步亮相的Primo Menova™12 寸ICP 单腔刻蚀开垦，专注于金属刻蚀领域，尤其擅长金属 Al 线、Al 块刻蚀，平常适用于功率半导体、存储器件及先进逻辑芯片制造，是晶圆厂金属化工艺的中枢开垦。亮点之一，主刻蚀腔体与除胶腔体可把柄客户工艺需求机动组合，最大为止餍足高坐蓐成果条款，确保高负荷坐蓐中的巩固性与良率。

本年6月，该开垦的环球首台机已付运到客户认证，发扬奏凯，并和更多的客户伸开互助。

中微公司Primo Menova™

薄膜千里积：Preforma Uniflash®系列（三大居品）已毕业界起始坐蓐成果

薄膜千里积，亦然芯片制造的中枢工艺之一，主要作用是在晶圆名义通过物理/化学设施轮换堆叠绝缘介质薄膜和金属导电膜，这些薄膜上不错进行掩膜疆土形转化（光刻）、刻蚀等工艺，最终酿成各层电路结构。

在这次新品发布中，中微公司推出的12英寸原子层千里积居品 Preforma Uniflash® 金属栅系列，成为薄膜千里积领域的一大亮点。

该系列涵盖Preforma Uniflash® TiN、Preforma Uniflash® TiAI及Preforma Uniflash® TaN三大居品，不详餍足先进逻辑与先进存储器件在金属栅方面的欺骗需求。

中微公司Preforma Uniflash® 金属栅系列

据先容，Preforma Uniflash® 金属栅系列居品接收中微公司独创的双响应台筹划，系统可机动配置多达五个双响应台响应腔，餍足高真空系统工艺集成需求的同期已毕业界起始的坐蓐成果。

该系列居品搭载中微公司专有的多级匀气混气系统，交融基于模子算法的加热系统筹划，以及可已毕高效原子层千里积响应的响应腔流导筹划等中枢工夫，不仅能餍足先进逻辑客户的性能需求，其开垦在薄膜均一性、浑浊物戒指智力及坐蓐成果方面均达到全国先进水平。

外延开垦：PRIMIO Epita® RP，为环球首款双腔减压外延居品

外延亦然集成电路制造中的中枢工艺之一，属于前端工艺（FEOL）关节，指在单晶衬底上有序千里积单晶材料以酿成外延层的历程。

中微公司这次发布的环球首款双腔减压外延开垦 PRIMIO Epita® RP，凭借额外筹划成为行业焦点。当作现在市集上专有的双腔筹划外延减压开垦，其响应腔体积为环球最小，且可机动配置多至6个响应腔，在显赫镌汰坐蓐老本与化学品耗尽的同期，已毕了高坐蓐成果。该开垦搭载领有都备自主学问产权的双腔筹划、多层孤苦戒指气体分区，以及具备多个径向转换智力的温场和温控筹划，确保了优秀的流场与温场均匀性及转换智力。

中微公司PRIMIO Epita® RP

凭借不凡的工艺顺应性和兼容性，该开垦可餍足从熟习到先进节点的逻辑、存储和功率器件等多领域外延工艺需求。前年8月，该开垦已付运到客户进行熟习制程和先进制程考据，发扬奏凯，并将和更多的客户伸开互助。

中微公司：上半年营收大增43.88%，研发进入增约53.70%

中微公司当作国内高端半导体开垦制造的领军企业。据先容，其等离子体刻蚀开垦已欺骗于海外一线客户从65nm到14nm、7nm、5nm尽头他先进集成电路加工制造坐蓐线，以及先进存储、先进封装坐蓐线。

中微公司董事长兼总司理尹志尧博士也在大会上强调，公司经久以市集与客户需求为导向，握续加大研发力度。公司2025年上半年研发进入达14.92亿元，同比增长约53.70 %， 研发进入占公司买卖收入比例约为30.07%，远高于科创板上市公司10%到15%的平均研发进入水平。

现在，公司在研技俩涵盖六大类、超二十款新开垦，研发速率已毕进步式普及——畴前一款新开垦的开发周期相通为3到5 年，如今仅需 2 年以致更短时分就能推出极具市集竞争力的居品并奏凯落地。

把柄8月28日晚间，中微公司发布2025年半年度解释白示，上半年已毕买卖收入约49.61亿元，同比增长约43.88%，归母净利润约7.06亿元，同比增长约36.62%，毛利也较前年加多约5.52亿元。

2025年上半年公司刻蚀开垦销售约37.81亿元，同比增长约40.12%；LPCVD开垦销售约1.99亿元，同比增长约608.19%；公司针对先进逻辑和存储器件制造中要害刻蚀工艺的高端居品新增付运量显赫普及，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种要害刻蚀工艺已毕大范围量产。

从行业出路来看开云体育，把柄海外半导体产业协会（SEMI）瞻望，2025年环球半导体开垦市集范围将达1210亿好意思元，并有望在2026年增长至1390亿好意思元。据悉，为更好应酬市集需求，中微公司已于广州增城区和成都高新区开动新的研发坐蓐基地竖立使命，进一步推广产能布局。